Toshiba начала к серийное производство флэш-памяти NAND по технологии 15 нм

Toshiba объявила о разработке 15-нанометровой технологии, которая будет применена в 128-гигабитных (16 гигабайт) модулях флэш-памяти NAND с размещением 2 битов данных в одной ячейке. Серийное производство с использованием новой технологии начнется в конце апреля на предприятии Fab 5 в Йоккаити, которое занимается выпуском модулей флэш-памяти NAND. Новая технология заменит 19-нанометровую технологию второго поколения — предыдущую основную технологию Toshiba. В настоящее время на предприятии Fab 5 строится второй этаж производственных помещений, гд
е тоже будет развернута новая технология.

"Благодаря использованию 15-нанометрового процесса и улучшенной технологии периферийных схем компании Toshiba удалось получить самые компактные в мире чипы этого класса. Новые чипы обеспечивают такую же скорость записи, как и чипы по 19-нанометровой технологии второго поколения, а высокоскоростной интерфейс позволяет увеличить скорость передачи данных в 1,3 раза — до 533 мегабит в секунду", говорится в заявлении компании.

В настоящее время Toshiba внедряет 15-нанометровую технологию с размещением 3 битов данных в одной ячейке, начало серийного использования которой запланировано на первый квартал этого финансового года (июнь 2014 г.). Параллельно компания разрабатывает контроллеры для встроенной флэш-памяти NAND и выводит на рынок продукты с размещением 3 битов данных в одной ячейке для смартфонов и планшетов, которые после разработки контроллера, совместимого с твердотельными накопителями (SSD), планируется использовать и на ноутбуках.


Поделиться ссылочкой: